、 属于第三代半导体材料，二者成键结构与金刚石相似，晶体中只存在 键、 键。下列说法错误的是

A ． 的熔点高于 B ．晶体中所有化学键均为极性键

C ．晶体中所有原子均采取 杂化 D ．晶体中所有原子的配位数均相同

答案

A

【分析】 Al 和 Ga 均为第 ⅢA 元素， N 属于第 ⅤA 元素， AlN 、 GaN 的成键结构与金刚石相似，则其为共价晶体，且其与金刚石互为等电子体，等电子体之间的结构和性质相似。 AlN 、 GaN 晶体中， N 原子与其相邻的原子形成 3 个普通共价键和 1 个配位键。

【详解】 A ．因为 AlN 、 GaN 为结构相似的共价晶体，由于 Al 原子的半径小于 Ga ， N—Al 的键长小于 N—Ga 的，则 N—Al 的键能较大，键能越大则其对应的共价晶体的熔点越高，故 GaN 的熔点低于 AlN ， A 说错误；

B ．不同种元素的原子之间形成的共价键为极性键，故两种晶体中所有化学键均为极性键， B 说法正确；

C ．金刚石中每个 C 原子形成 4 个共价键（即 C 原子的价层电子对数为 4 ）， C 原子无孤电子对，故 C 原子均采取 sp ^３ 杂化；由于 AlN 、 GaN 与金刚石互为等电子体，则其晶体中所有原子均采取 sp ³ 杂化， C 说法正确；

D ．金刚石中每个 C 原子与其周围 4 个 C 原子形成共价键，即 C 原子的配位数是 4 ，由于 AlN 、 GaN 与金刚石互为等电子体，则其晶体中所有原子的配位数也均为 4 ， D 说法正确。

综上所述，本题选 A 。