多晶硅是制作光伏电池的关键材料。以下是由粗硅制备多晶硅的简易过程。
回答下列问题:
Ⅰ .硅粉与 在 300℃ 时反应生成 气体和 ,放出 热量,该反应的热化学方程式为 ________________________ 。 的电子式为 __________________ 。
Ⅱ .将 氢化为 有三种方法,对应的反应依次为:
①
②
③
( 1 )氢化过程中所需的高纯度 可用惰性电极电解 溶液制备,写出产生 的电极名称 ______ (填 “ 阳极 ” 或 “ 阴极 ” ),该电极反应方程式为 ________________________ 。
( 2 )已知体系自由能变 , 时反应自发进行。三个氢化反应的 与温度的关系如图 1 所示,可知:反应 ① 能自发进行的最低温度是 ____________ ;相同温度下,反应 ② 比反应 ① 的 小,主要原因是 ________________________ 。
( 3 )不同温度下反应 ② 中 转化率如图 2 所示。下列叙述正确的是 ______ (填序号)。
a . B 点: b . : A 点 点 c .反应适宜温度: ℃
( 4 )反应 ③ 的 ______ (用 , 表示)。温度升高,反应 ③ 的平衡常数 ______ (填 “ 增大 ” 、 “ 减小 ” 或 “ 不变 ” )。
( 5 )由粗硅制备多晶硅过程中循环使用的物质除 、 和 外,还有 ______ (填分子式)。
阴极 或 1000℃ 导致反应 ② 的 小 a 、 c 减小 、
【分析】
I. 书写热化学方程式时一定要标注出各物质的状态,要将热化学方程式中焓变的数值与化学计量数对应。本题的反应温度需要标注为条件;
II. ( 1 )惰性电极电解 KOH 溶液,实质是电解水,产生氢气的必为阴极,发生还原反应。
( 2 ) “ 看图说话 ” ,将反应 ① 的纵、横坐标对应起来看,即可顺利找到最低温度。影响自由能变的因素主要是焓变和熵变,分析发现熵变对反应 ② 反而不利,说明焓变影响大,为主要影响因素;
( 3 )据图判断化学平衡的建立和移动是分析的关键。注意时间是一个不变的量。
( 4 )此问是盖斯定律的简单应用,对热化学方程式直接进行加减即可。
【详解】
I. 参加反应的物质是固态的 Si 、气态的 HCl ,生成的是气态的 SiHCl 3 和氢气,反应条件是 300℃ ,配平后发现 SiHCl 3 的化学计量数恰好是 1 ,由此可顺利写出该条件下的热化学方程式: Si(s)+3HCl(g) SiHCl 3 (g)+H 2 (g) ∆H=-225kJ·mol -1 ; SiHCl 3 中硅与 1 个 H 、 3 个 Cl 分别形成共价单键,由此可写出其电子式为: ,注意别漏标 3 个氯原子的孤电子对;
II. ( 1 )电解 KOH 溶液,阳极发生氧化反应而产生 O 2 、阴极发生还原反应才产生 H 2 ;阴极的电极反应式可以直接写成 2H + +2e - =H 2 ↑ ,或写成由水得电子也可以: 2H 2 O+2e - =H 2 ↑+2OH - ;
( 2 )由题目所给的图 1 可以看出,反应 ① (最上面那条线)当 ∆G=0 时,对应的横坐标温度是 1000℃ ;从反应前后气体分子数的变化来看,反应 ① 的熵变化不大,而反应 ② 中熵是减小的,可见熵变对反应 ② 的自发更不利,而结果反应 ② 的 ∆G 更负,说明显然是焓变产生了较大的影响,即 ∆H 2 <∆H 1 导致反应 ② 的 ∆G 小(两个反应对应的 ∆H ,一个为正值,一个为负值,大小比较很明显);
( 3 )图 2 给的是不同温度下的转化率,注意依据控制变量法思想,此时所用的时间一定是相同的,所以图示中 A 、 B 、 C 点反应均正向进行, D 点刚好达到平衡, D 点到 E 点才涉及平衡的移动。在到达平衡状态以前,正反应速率大于逆反应速率, a 项正确, B 点反应正向进行,正反应速率大于逆反应速率; b 点错误,温度越高,反应速率越快,所以 E 点的正(或逆)反应速率均大于 A 点; c 项正确, C 到 D 点, SiHCl 3 的转化率较高,选择此温度范围比较合适,在实际工业生产中还要综合考虑催化剂的活性温度。
( 4 )将反应 ① 反向,并与反应 ② 直接相加可得反应 ③ ,所以 ∆H 3 =∆H 2 -∆H 1 ,因 ∆H 2 <0 、 ∆H 1 >0 ,所以 ∆H 3 必小于 0 ,即反应 ③ 正反应为放热反应,而放热反应的化学平衡常数随着温度的升高而减小;
( 5 )反应 ① 生成的 HCl 可用于流程中粗硅提纯的第 1 步,三个可逆反应中剩余的 H 2 也可循环使用。
【点睛】
① 对于反应的吉布斯自由能大小比较及变化的分析,要紧紧抓住焓判据和熵判据进行分析。 ② 判断图 2 中时间是一个不变的量,是看清此图的关键。明白了自变量只有温度,因变量是 SiCl 4 的转化率,才能落实好平衡的相关知识的应用,如平衡的建立,平衡的移动以及平衡常数随温度变化的规律等。
影响化学反应速率的因素:
1.内因:参加反应的物质的结构及性质。
2.外因:主要是指浓度、温度、压强和催化剂,另外还有光、超声波、激光、搅拌、固体表面积、形成原电池等。
(1)浓度:其他条件相同时,增大反应物浓度,化学反应速率增大;减小反应物浓度,化学反应速率减小。在一定温度下,同体、纯液体的浓度视为定值,如C与CO2的反应、Na与H2O的反应中,C的量和Na、H2O 的量减少并不意味着其“浓度”减小,即不冈其量的增减而影响反应速率,但会因固体表面积的变化而改变反应速率。
(2)温度:其他条件相同时,升高温度,可以加快反应速率,实验测得,温度每升高10℃,化学反应速率通常增大到原来的2~4倍。
经验公式为
(3)压强:对于气体反应,当温度不变时,增大压强可以加快反应速率。对于气体反应体系,压强改变时有以下几种情况:
(4)催化剂:催化剂是能改变化学反应速率但在反应前后本身的质量和化学性质都不变的物质。对于某些化学反应,使用正催化剂能显著加快化学反应速率。
(5)其他因素:增大同体的表面积(如将块状改为粉末状),可增大反应速率;光照一般也可增大某些反应的速率;形成原电池可以加快反应速率;此外,超声波、放射线、电磁波等因素也能影响反应速率。
3.外因对化学反应速率影响的微观解释
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下表中是各组反应的反应物和反应温度,反应刚开始时,放出H2速率最快的是( )
编号 | 金属(粉末状) | 物质的量(mol) | 酸的浓度及体积 | 反应温度(℃) |
A | Al | 0.1 | 2mol.L-1盐酸10mL | 60 |
B | Fe | 0.1 | 1mol.L-1盐酸10mL | 50 |
C | Mg | 0.1 | 1mol.L-1盐酸10mL | 60 |
D | Mg | 0.1 | 1mol.L-1硫酸10mL | 60 |
A.A B.B C.C D.D